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霍尔接近开关传感器的效应导体先容
 
更新时间:2015.03.15 浏览次数:
 

  霍尔效应原理在垂直于外磁场的方向上放置导体,给导体通以电流。导体中的电使金属中自由电子在电场作用下做定向运动。置于磁场中的静止载流导体,当它的电方向与磁场方向不一致时,载流导体上平行于电和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称为霍尔接近开关传感器的效应。该电动势称为霍尔电动势。

  电子受洛伦兹力的作用大小为:FL=EUB

  公式中:E-电荷;U-电子平均运动速度;B-磁感应强度。

  电子除了沿电流反方向作定向运动外,还在FL的作用下漂移,结果使金属导电板内侧面积累电子,而外侧面积累正电荷,从而形成了附加内电场EH,称为霍尔电场,霍尔电场强度为:EH=UH/B

  公式中:UH-电位差;B-霍尔元件宽度。

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